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常熟东星电子材料有限公司是由荣获江苏省常熟市海外领军型创新、创业人才组成的高科技精英团队牵头打造的中外合资企业。公司坐落于我国经济与科技最为繁荣的长江三角州腹地 — 常熟国家级经济技术开发区。主营先进陶瓷材料 — 热解氮化硼（PBN）。该产品包括应用于砷化镓（GaAs）单晶的MBE坩埚、LEC坩埚、VGF坩埚、MOCVD设备用绝缘隔热板、合成用舟皿及热解氮化硼涂层产品等。

公司拥有热解氮化硼原创性技术，自主的知识产权，是集科研、开发、生产为一体的高科技外向型企业。除此之外，公司还拥有碳化硅石墨基座涂层、热解石墨、热解石墨合金等生产技术。

公司荣获2011年度江苏省创新、创业团队奖，即 江苏省双创奖 ；以及2010年度，常熟市海内外领军型创新、创业人才奖(A类)。目前正朝向江苏省姑苏人才奖及国家千人计划大踏步进军。

公司拥有国内最现代化生产设施及设备；囊括本领域绝大部分国家专利，垄断国内95以上科技论文。也正是这些专利技术与知识产权支撑着我国热解氮化硼设备与材料的产生、发展与创新，从而参与国际市场竞争与角逐。公司团队成员聚集海内外精英，有老、中、青相结合的研发队伍，团队拥有敬业四十余年化学气相沉积实践经验的中国热解氮化硼材料创始人 — 赵凤鸣研究员，他享有国务院特殊贡献津贴，是中国半导体与特种陶瓷材料领域所熟知的国家级科学家，也是中国热解石墨材料的早期研制与开拓者。公司也拥有年轻的领军型创新、创业人才，拥有十余年化学气相沉积实践经验，有本领域重要的国家专利，填补了国家多项技术空白。

2006年，现公司团队成员国家级专家赵凤鸣及海外领军型人才赵林总经理为完成市级科研计划，创新性的研制生产出国内最大，国际领先水平 — LEC法12″热解氮化硼( PBN )坩埚，填补国内空白。客户用此坩埚原位合成出具有世界先进水平的8″砷化镓单晶，实现了我国在该领域零的突破，使我国砷化镓（GaAs）单晶技术步入世界领先行列，该成果得到了国家领导人温家宝总理的接见与肯定，为我国21世纪半导体材料跨入世界领先水平做出杰出贡献。从而将热解氮化硼材料的制备技术推上了国际领先水平。由此，也垫定了本公司成为我国热解氮化硼材料领域：理论上的权威、实践中的领军人、开拓进程中的排头兵，使我国在热解氮化硼领域又闯国际前沿。

公司以 诚信、专业、进取、共赢 的经营理念迎接国内外来客，欢迎新、老用户的光临与指导！我们愿为我国两大单晶（硅单晶与砷化镓单晶）、三大产业（光电产业、微电子产业、光伏产业）和白光工程的发展而不懈努力。